目前国内市场上氮化硼制品种类繁多，制造工艺虽然大同小异，但主要区别一方面是用料，高端氮化硼制品需要使用高晶态、高清洁度、含氧量低的原料，使其制品质量优良；另一方面是受压密度均匀，受热量均匀，只有具备以上性能的氮化硼制品才能使其寿命延长，增强抗腐蚀能力，才能适应各种工作环境。本公司生产的氮化硼陶瓷制品目前已经达到以上高端技术水平，产品质量和性能足以和国外同类产品相媲美。
了解更多
同位素¹ºB天然丰度为19.78%,是优良的核屏蔽材料，特别是对中子有良好的吸收效果，在核工业装备中，是必备的原材料之一。本公司生产的¹ºB同位素属于立方体β形晶体同位素，具有纯度高，丰度高，易与金属相结合的优势，是特殊装备的主要原材料。
了解更多
同位素¹¹B天然丰度为80.22%，是半导体芯片材料的优质掺杂剂、扩散剂。¹¹B作为掺杂剂可以使得硅离子布置紧密，用于制造集成电路、高密度的微型芯片，且对提高半导体器件的抗辐射干扰能力有良好作用。本公司生产的¹¹B同位素属于立方体β形晶体同位素，具有纯度高，丰度高，是高端芯片的必备原材料。
了解更多
晶体硼晶型以β形为主，由β形、γ形合成立方体，形成固定的晶型结构，颜色一般为灰褐色粉末或褐色无规则形状颗粒。本公司是专业生产晶体硼的源头厂家，也是国内发明晶体硼生产工艺的研发单位。我司生产的晶体硼粉常规粒度为15-60μm;晶体硼颗粒常规粒度为1-10mm（特殊粒度可按客户需求定制加工）一般按纯度分为2N、3N、4N、5N、6N五个规格。
了解更多
目前在核工业特殊装备中常用的中子吸收及屏蔽材料以碳化硼为主要基础材料。为更好提高中子吸收能力，可使用纯硼制作屏蔽材料。经过特殊生产工艺，形成纯度高的十二硼，相比较同类碳化硼陶瓷材料，在同等屏蔽及中子吸收标准下，具有重量更轻，体积更小等优点。
针对核工业工程建设以及核动力设施对具有良好慢化吸收/屏蔽效果、质地轻、体积小、耐辐照材料的迫切需求，我公司与相关科研机构合作共同研发新型含硼铝基中子防护复合材料。经过我公司研发人员的反复试验攻关，目前已经成功制备多种规格尺寸以及成分配比的制品。产品经检测，材料均匀度，结晶度，致密度等均达到较高水平，制备工艺、力学性能以及中子慢化吸收性能达到相关标准。
碳化硼为黑灰色粉末，俗称“人造金刚石”，是已知最坚硬的三种材料之一。碳 化 硼 因 具 有高硬 度(莫 氏 硬 度9 . 3 6 ，显 微 硬 度49GPa)、低密度(2.52g/cm3 )、高熔点(2450℃)、膨 胀 系 数 低(5.0x10-6 ·K-1 )、热电性能低(室温140s/m)、耐磨损 性 能 好 、 耐酸碱性强和中子吸收能力强等优良特性，使其 被光泛应用于机械研磨材料、耐火材料、工程陶瓷、核工业和军事等不同领域。富集碳化硼-10的原料硼10酸由于价格昂贵，采用传统生产工艺的话，收率较低，导致成本升高，成品价格昂贵，并且游离硼、游离碳很高，质量难以保证。我司采用了精工细作的两步法合成碳化硼10，能够更好的降低游离碳和游离硼的含量，做到了碳化硼-10产品的高标准、高质量、高收率。并且通过成熟的分级加工技术做到了大粒径范围，最小粒径能达到小于10μm(D50)，能满足对碳化硼-10产品有高端要求的用户。
了解更多
保定硼达新材料科技有限公司是国内专业从事硼材料研发和生产制造的创新型企业，欢迎您的访问。
扫描添加公众号
